3상 인버터: 하프 브리지 세 개

구성

블록	역할
MOSFET 6개 (상마다 상하 한 쌍)	각 상을 +Vdc 또는 0에 연결
3상 게이트 드라이버	MCU 신호를 게이트 전압으로, 하이사이드 구동
부트스트랩 다이오드 + 커패시터	하이사이드 게이트 전원
DC 링크 커패시터	스위칭 펄스 전류 공급
전류 센싱	션트 + 증폭기 (1~3채널)
보호	과전류 비교기, 과전압, 과온

MCU 쪽: 고급 타이머

STM32의 TIM1/TIM8은 상보 출력 3쌍(CH1/CH1N …), 하드웨어 데드타임, 고장 입력(BKIN)을 제공합니다. BKIN에 과전류 비교기 출력을 연결하면 소프트웨어를 거치지 않고 ns 단위로 PWM이 꺼집니다.

데드타임 정하기

MOSFET 꺼짐 지연 + 드라이버 전파 지연 차이 + 여유. 보통 200~1000ns입니다. 너무 짧으면 슛스루, 너무 길면 출력 전압 왜곡과 저속 토크 리플이 생깁니다.

3D 실험실여기까지 읽은 내용을 직접 돌려 볼 수 있습니다→

DC 링크 커패시터

스위칭마다 펄스 전류를 감당하므로 용량보다 리플 전류 정격이 중요합니다. 전해 커패시터와 MLCC를 함께 쓰고, MOSFET 바로 옆에 붙여 고리를 작게 합니다.

레이아웃

전력 고리(커패시터 → 상단 → 하단 → 커패시터)를 최소화하고, 게이트 구동 고리도 짧게 합니다. 전류 센싱은 켈빈 연결로 뽑습니다.